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SERVICEMemory Simulation

存储芯片仿真

面向 DDR / LPDDR 通道的 SI 仿真,覆盖 Pre-layout 与 Post-layout 全流程。

01服务概述

围绕实际平台问题开展工程分析

围绕存储接口 PCB 通道开展设计前与设计后仿真,通过通道与模型分析辅助识别信号裕量风险和参数优化方向。

支持器件 / 接口

DDRLPDDR

测试 / 分析项目

  • DDR / LPDDR SI Simulation
  • Pre-layout Simulation
  • Post-layout Simulation
  • PCB Channel Analysis
  • S-Parameter Analysis
  • ODT Optimization
  • Drive Strength Optimization
02典型问题

适用于以下工程场景

通道设计方案需要前期评估

布板后需要核对信号裕量

ODT 或 Drive Strength 参数需要优化

03服务流程

从问题定义到工程报告

  1. 01

    需求沟通

    明确平台、器件与背景约束。

  2. 02

    问题定义

    界定现象、复现条件与目标。

  3. 03

    测试 / 仿真

    开展板级测量与通道仿真。

  4. 04

    数据分析

    对测量与仿真数据交叉比对。

  5. 05

    问题定位

    收敛到根本原因与关键因素。

  6. 06

    工程报告

    输出报告与优化建议。

04项目输入

咨询时可提供的信息

  • 目标平台与存储器件信息
  • 问题现象与复现条件
  • 已有 Log、协议或测量数据
  • 当前设计约束与分析目标
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